Магнетрон цацах бүрэх нь өмнөх ууршуулах бүрэх аргатай харьцуулахад физикийн уураар бүрэх шинэ арга бөгөөд түүний давуу тал нь олон талаараа гайхалтай юм.Магнетрон цацах нь боловсорч гүйцсэн технологийн хувьд олон салбарт хэрэглэгдэж ирсэн.
Магнетрон цацах зарчим:
Шүршсэн зорилтот туйл (катод) ба анодын хооронд ортогональ соронзон орон ба цахилгаан орон нэмэгдэж, шаардлагатай инертийн хий (ихэвчлэн Ar хий) өндөр вакуум камерт дүүрдэг.Байнгын соронз нь зорилтот материалын гадаргуу дээр 250-350 гаусын соронзон орон үүсгэдэг ба ортогональ цахилгаан соронзон орон нь өндөр хүчдэлийн цахилгаан оронтой бүрддэг.Цахилгаан талбайн нөлөөгөөр Ar хийн иончлол эерэг ион ба электрон болж, зорилтот ба тодорхой сөрөг даралттай байх ба соронзон орны нөлөөгөөр туйлаас зорилтот хийн иончлох магадлал нэмэгдэж, ойролцоо өндөр нягтралтай плазм үүсгэдэг. катод, Ар ион нь лоренцийн хүчний үйлчлэлээр, зорилтот гадаргуу руу нисэх хурдаа нэмэгдүүлэн, зорилтот гадаргууг өндөр хурдтайгаар бөмбөгдөж, байн дээр цацагдсан атомууд нь импульсийн өөрчлөлтийн зарчмыг баримталж, өндөр кинетиктэйгээр зорилтот гадаргуугаас нисдэг. субстрат хуримтлуулах хальс руу энерги .
Магнетрон цацалтыг ерөнхийд нь тогтмол гүйдлээр цацах, RF цацах гэсэн хоёр төрөлд хуваадаг.Тогтмол гүйдлийн шүрших төхөөрөмжийн зарчим нь энгийн бөгөөд метал цацах үед хурд нь хурдан байдаг.RF цацах нь дамжуулагч материалыг шүршихээс гадна дамжуулагч бус материалыг шүршихээс гадна исэл, нитрид, карбид болон бусад нийлмэл материалыг реактив шүршихэд бэлтгэхэд илүү өргөн хүрээтэй байдаг.Хэрэв RF-ийн давтамж нэмэгдвэл богино долгионы плазмын цацралт болно.Одоогийн байдлаар электрон циклотрон резонансын (ECR) төрлийн богино долгионы плазмын цацалтыг түгээмэл ашигладаг.
Магнетрон шүршигч бүрэх зорилтот материал:
Металл цацах зорилтот материал, бүрэх хайлш цацах бүрэх материал, керамик шүршигч бүрэх материал, борид керамик шүрших зорилтот материал, карбид керамик шүрших зорилтот материал, фторын керамик шүрших зорилтот материал, нитрид керамик шүрших зорилтот материал, исэл керамик зорилтот, селенид цацах зорилтот материал, цахиурын керамик шүрших зорилтот материал, сульфид керамик шүрших зорилтот материал, теллурид керамик шүрших зорилт, бусад керамик зорилт, хром агуулсан цахиурын ислийн керамик зорилт (CR-SiO), индий фосфидын зорилт (InP), хар тугалганы арсенид (PbAs), индийн арсенид зорилтот (InAs).
Шуудангийн цаг: 2022 оны 8-р сарын 03-ны хооронд